RDA推出首款国产LTE射频功放与滤波器集成芯片RPF5401
“2017年9月25日，作为中国领先的射频及混合信号芯片供应商，锐迪科微电子（以下简称“RDA”）今日宣布推出首款国产LTE射频功率放大器与滤波器集成产品RPF5401，助力中移动B41高功率终端（以下简称“HPUE”）的普及。 ” 2017年9月25日，作为中国领先的射频及混合信号芯片供应商，锐迪科微电子（以下简称“RDA”）今日宣布推出首款国产LTE射频功率放大器与滤波器集成产品RPF5401，助力中移动B41高功率终端（以下简称“HPUE”）的普及。B41具有2496~2690MHz的较宽频带，因此能快速传输移动数据。但由于高频传输的衰减更大，所以高频段的覆盖范围明显低于中低频段；同时由于调制和发射功率的原因，终端发射的覆盖范围也明显低于接收的覆盖范围。增大终端的发射功率，可以提供更完美的网络覆盖和用户体验。移动通信国际标准组织3GPP联合中移动、Sprint等运营商推出Power Class 2的终端标准，称为HPUE。与传统TD-LTE设备相比，HPUE功率增大3dB，覆盖范围增大30%，覆盖效果接近中低频段，不但可以优化通信基础设备的投资，还能提高基站边缘位置的终端用户体验。在中移动等运营商积极推进下，预计明年会有更多的终端将会支持HPUE。HPUE是目前蜂窝通信射频前端领域最有挑战的技术之一，之前只被少数欧美企业掌握。RPF5401要在B41提高一倍的发射功率，同时控制功耗水平，具有相当的研发难度。RPF540可同时支持B38、B40、B41和B7，并且集成B40和B41的滤波器，既能满足客户的基本需求，又具有相应的灵活性。封装尺寸为3mm*4mm，采用先进的GaAs 倒装PA技术，不仅散热效果更好，发射功率也更高。高度集成的设计能够降低步线损耗，使PA和Filter的阻抗关系达到最优。RPF5401仅针对高频段优化集成，既支持B41 的Class 2要求，又确保成本方面具有优势。作为本土第一款PA滤波器集成产品、本土第一款量产的GaAs PA倒装产品、本土第一款支持B41 HPUE的射频芯片， RPF5401的推出成为国产射频前端芯片的一个重要里程碑。“RDA推出国产首款‘PA+Filter’集成芯片，突破目前射频前端最有挑战的HPUE技术，进一步了缩小与国际领先企业间的差距，这反映了RDA紧追国际一流水平付出的不懈努力，”RDA 董事长李力游博士表示，“未来5G技术普遍频段较高， HPUE将会进一步普及，市场前景非常看好，HPUE技术的成功国产化具有非常重要的长期意义。”
