东芝3D闪存技术突破容量轻松TB级价格功耗降低
东芝3D闪存技术突破：容量轻松TB级、价格/功耗降低 虽然东芝的闪存业务风雨飘摇，正在寻求出售，但技术人员却不断公布新的成果。
继QLC闪存之后，东芝今天宣布全球首发了基于TSV（硅通孔）技术的3D闪存，依然基于自家BiCS架构的TLC。
TSV是一种3D闪存“立体搭建”方案，这种通讯方式减少了漏电、更节省体积，相较传统的Wire Bond（金线键合）在单芯片封装后的功耗上极具优势。
得益于TSV，东芝宣称可以做到最高48层堆叠，单芯片容量最高1TB（16die），接口速度1Gbps。
东芝表示，原型产品已经在6月出货，成品将在下半年上市。同时，业内将在8月7日开幕的闪存峰会上有幸得以近距离了解产品详情。
由此看来，今后xTB的SSD将成为市场的绝对主流，如果产能给力，在价格上进一步下探并冲击机械硬盘市场可以预见。 责任编辑：曾少林
