ST扩大碳化硅MOSFET产品系列为更多应用带来宽带隙技术优势
意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。 意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一，并始终致力于技术的研发与升级。这次推出的1200V SCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列，具有小于290mΩ的通态电阻 (RDS(ON)) 及高达200°C的最大工作结温等诸多特性优势；其高度稳定的关断电能 (Eoff) 和栅电荷 (Qg) 可使开关性能在整个工作温度范围内表现始终如一。最终的低导通损耗和开关损耗配合超低泄漏电流，将有助于简化热管理设计，并最大限度地提高可靠性。 除更低的电能损耗外，意法半导体的碳化硅MOSFET的开关频率也同样出色，较同等级的硅绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高出三倍，这让设计人员能够使用更小的外部元器件，进而降低产品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高温性可大幅度简化电源模块、电动汽车等应用的散热系统 (cooling-system) 设计。 SCT20N120采用意法半导体独有的HiP247™封装，其更高的热效率可使管子在最大工作温度高达200°C时，依然能够维持与TO-247 工业标准功率封装外观兼容。 SCT20N120目前已开始量产，详情请浏览：http://www.st.com/sicmos
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