TI推出NexFET N沟道功率MOSFET可实现业界最低电阻
采用5 mm x 6 mm QFN封装并集成超低导通电阻的25 V和30 V器件 德州仪器 (TI) 推出其NexFET 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。如需获取更多信息、样片或参考设计，敬请访问：www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。 CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率，同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大导通电阻，而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的最大导通电阻。请下载阅读一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A热插拔参考设计，来进一步进行了解。 TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可与面向DC/DC应用的LM27403配合使用，从而构成一套完整的同步降压型转换器解决方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与诸如TPS24720等TI热插拔配套使用。阅读 《稳健可靠的热插拔设计》，可进一步了解如何将一个晶体管选用为传输元件，以及怎样在所有可能的情况下确保安全运作。 如下是TI 推出具有业界最低导通电阻的NexFET™ N沟道功率MOSFE。 新型 NexFET 产品及主要特点 器件型号应用Vds/Vgs封装 (mm)导通电阻最大值 (mΩ)Qg (4.5) (nC)4.5V10VCSD16570Q5BORing / 热插拔25/20QFN 5x6 (Q5B)0.820.5995CSD17570Q5B30/200.920.6993CSD17573Q5B低端降压 / ORing / 热插拔30/20QFN 5x6 (Q5B)1.45149CSD17575Q3低端降压30/20QFN 3.3x3.3 (Q3)3.22.323CSD17576Q5BQFN 5x6 (Q5B)2.9225CSD17577Q5A高端降压30/20QFN 5x6 (Q5A)5.84.213CSD17577Q3AQFN 3.3x3.3 (Q3A)6.44.813CSD17578Q3A9.47.37.9CSD17579Q3A14.210.25.3CSD85301Q2双路独立 FET10月20日QFN 2x2 (Q2)27不适用4.2CSD13383F4负载开关12月10日FemtoFET 0.6x1.0(0402)44不适用2
