飞兆收购TranSiC 引入碳化硅技术
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收购碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术能力。 这项收购为飞兆半导体带来获经验证效率的业界领先双极SiC晶体管技术、宽温度范围下的出色表现，以及超越MOSFET和JFET技术的卓越性能。飞兆半导体同时借着这项收购获取经验丰富的SiC工程师团队和科学家团队，以及多项SiC技术专利。 飞兆半导体公司主席、总裁兼首席执行官Mark Thompson称：“通过综合SiC技术和飞兆半导体现有的MOSFET、IGBT和多芯片模块方面的能力，以及位于全球的客户据点，我们拥有足够实力，继续担当创新性、高性能功率晶体管技术的领导厂商。” 飞兆半导体首席技术官Dan Kinzer称：“SiC技术的高性能水平可以大大提高功率转换效率。它还提供了更高的转换速度，可以实现更小的终端系统外形尺寸。碳化硅技术在市场已有一定地位，特别在宽带隙领域拥有强大优势，适合需要600V以上电压的应用，并展示了出色的稳健性和可靠性。” SiC技术超越技术的优势包括： • 在特定的芯片尺寸下具有较低的导通状态电压降 • 较高的电流密度 • 较高的工作温度 • 极低的热阻抗 • 仅有多数载流子传导，具有超快的开关速度 • 采用电流增益范围为100的通常关断运作(off operation)方式，提供简便的驱动解决方案 • 由于采用正温度系数电阻组件，可以方便地并联 另外，这类器件的阻抗非常接近SiC技术的理论极限，并且成功地在25ns的导通和关断时间范围内演示了800V下的50A开关运作。这些器件在长期的全额定偏流和电流应力状况下具有参数稳定性。 这些高增益SiC双极器件适合向下钻探、太阳能逆变器、风能逆变器、电气和混合动力汽车、工业驱动、UPS和轻轨牵引应用中的大功率转换应用。市场研究机构Yole Development预计这些市场将于2020年达到接近10亿美元的规模。 这款器件具有业界领先的效率，可将成熟的硅技术器件的相关损耗削减多达50%，或在相同的损耗条件下，将频率提高多达四倍。SiC器件具有显著减小的体积、较少的无源元件，能够降低总体系统成本和提升价值。对于需要最高效率和功率密度的系统，该器件是无可比拟的首选产品。 飞兆半导体正在提供针对目标应用的最高50A额定电流的1200V初始产品的样品，并将于未来开发具有更宽电压和电流范围的产品，继续推动节能工作。
