LAPIS Semiconductor开发出实现丰富色彩与亮度的全彩LED照明用低功耗微
“ROHM旗下的LAPIS Semiconductor开发出可通过精细控制实现丰富色彩与亮度的全彩LED照明用8位低功耗微“ML610Q111/ML610Q112”。
”ROHM旗下的LAPIS Semiconductor开发出可通过精细控制实现丰富色彩与亮度的全彩LED照明用8位低功耗微“ML610Q111/ML610Q112”。
该LSI搭载了 LED照明控制所必需的6通道PWM端口，可控制多个LED，不仅可将白色和暖的单色LED独立控制，而且还可同时控制RGB三色LED，因此，可实现丰富多彩的色彩表现。通过精细控制光源，可无限演绎不同生活场景与内饰的照明效果。
该LSI现样品出售中，预计从2013年12月份开始量产销售。
另外，具备完善的服务支持体制，还为客户准备了可轻松开始评价的配套参考板和软件开发环境，客户只需从LAPIS Semiconductor官网进行用户登录，即可使用各种用户手册和工具。
该LSI将在2013年11月16日～21日于深圳会展中心举行的“第十五届中国国际高新技术成果交易会（ELEXCON2013）”ROHM展区展出（展位号：2号馆2B62）。欢迎莅临！
近年来，LED照明不仅需要具备节能性能，还需要具备丰富的调光与调色功能。以往的照明，主要功能是单纯的亮度调整，而如今的LED照明则是与晨起、休闲、用餐、学习、就寝前等不同生活场景紧密配合的人性化光源，提升室内装饰效果的全彩光源，可实现更丰富的调光与调色。在这种背景下，ROHM集团发力LED照明相关业务领域，LAPIS Semiconductor充分发挥与ROHM拥有的LED技术的相乘效应，致力于开发适用于LED照明控制的最佳微。
＜新产品特点＞
1.搭载LED控制所必需的6通道PWM
为实现丰富多彩的LED照明的调光与调色功能，搭载LED控制所必需的6通道PWM（Pulse Width Modulation），是一款可控制三种单色LED（比如白色、暖、橙色）与RGB三色LED的8位微。PWM的分辨率皆为16bit，可通过自由编程来实现丰富多彩的调光与调色模式。
2.内置振荡电路，可减少外置部件
PWM控制时钟由新开发的时钟振荡电路生成，与内置逻辑电源用稳压器组合使用，不仅可减少外置逻辑电源电容等外部零部件数量，而且采用小型封装，还非常有助于安装基板的小型化。
3.内置比较器，可灵活应对外部环境的变化
通过比较器监视突发的电压变动等外部环境的变化，可即刻处理，有助于稳定运行。
4.LAPIS Semiconductor引以为豪的低功耗微，有助于节能
搭载了实现业界低功耗的独创高性能8bit RISC内核。
5.在严苛的噪音环境下也可放心使用
通过精心优化电路与布局，确保了高抗电磁干扰性能，测量界限超越了国际电工委员会(IEC)标准IEC61000-4-2中规定的最高级别4(±15kV)，实现了±30ｋV注１的电磁兼容性。因此，该产品还可放心的在噪音环境要求苛刻的工业设备中使用。
6.完善的服务支持体制
公司准备了可轻松开始评价的参考板、软件开发环境、用户手册、示例软件，客户在LAPIS Semiconductor官网进行用户登录，即可使用其中的各种手册和工具等，为客户提供了完善的服务支持体制。
【规格】
-内置LAPIS Semiconductor独创的高性能8bit RISC内核
-高精度振荡 (8.192MHz) ±1%（25℃）、±2%（-10～85℃）、±2.5%（-40～85℃)
-无需外置逻辑电源电容
-24KB Flash＋2KB RAM（ML610Q111）、32KB Flash＋4KB RAM（ML610Q112）
-4KB Data Flash
-8bit定时器x6 (8bit定时器x2可作为16bit定时器使用)
-16bit PWM x6 (可16.384MHz工作)
-具备标准电压、差分输入切换功能的迟滞比较器x1
-标准电压比较器x1
-10bit逐次比较型A/D转换器 6ch（ML610Q111）、8ch（ML610Q112）
-电源电压监视电路
-工作频率 32kHz～8.192MHz
-工作温度 -40～85℃
-电源电压 2.7～5.5V
-封装 ML610Q111TSSOP20（6.5mm X4.4mm）
ML610Q112LQFP32（7.0mm X7.0mm）
【销售计划】
-商品名 ML610Q111/ML610Q112
-样品出售时间 样品出售中
-样品价格（参考） ML610Q111150日元（不含税）
ML610Q112200日元（不含税）
-量产销售计划 2013年 12月起（TSSOP20、LQFP32）
【应用领域】
LED照明 / 单相风扇电机 / 电池充电控制等、其他各种家电、工业设备。
【术语解说】
注1 用LAPIS Semiconductor参考板以间接放电方法进行测试。
