ROHM旗下LAPIS Semiconductor开发出发挥镍氢充电电池实力的强化微ML620130
“ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司(蓝碧石半导体)开发出非常适合在扰环境下需要进行电池驱动的小型工业设备的ML620130家族“ML620Q131/132/133/134/135/136” 打造出更 省电且处理能力更高的16bit低功耗微的崭新产品阵容。
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ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司(蓝碧石半导体)开发出非常适合在扰环境下需要进行电池驱动的小型工业设备的ML620130家族“ML620Q131/132/133/134/135/136” 打造出更 省电且处理能力更高的16bit低功耗微的崭新产品阵容。
ML620130家族不仅具备“强化微”突破抗扰度测量界 限±30kV的特点，还成功实现仅有1.6V的低工作电压。通过将工作电压优化为镍氢充电电池的电压倍数（0.8V×2=1.6V），可使镍氢充电电池的能力毫无保留地充分发挥出来，因此可延长使用电池的小型家电 和工业设备的电池寿命，还可减少电池的电量消耗，从而实现使电池毫不浪费的“强化且环保化”的产品。另外，ML620130家族拥有包括不同存储器容量、封装引脚数等在内的9种产品，可根据客户的用途自由选择。
本LSI已经开始出售样品，并已于2015年12月份开始逐步量产销售。生产基地为蓝碧石半导体宫城分公司 （宫城县）。
今后，蓝碧石半导体还将继续开发在各种环境下有助于实现进一步省电的低功耗微，为社会的低功耗化 发展贡献力量。
＜背景＞
近年来，传感器、电源、电池等日益小型化，对可应对各种环境、各种使用条件的小型且低成本的模块（内置于各种电子设备的PCB板）的需求越来越高。所谓的各种环境、各种使用方法，是指不仅要求提高通信功能的通用化、多样化等性能，同时还可在噪音及发热等严苛的环境下使用。
然而，作为小型化、低成本化的一部分，多会消减抗扰部件和散热部件，在实现确保耐环境性与安全性的同时还要减少零部件数量，这种相反的要求绝非易事。另外，在模块上搭载电池时的小型化与电池寿命也是相反的要求， 因此需要根据应用来优化使用电力（电压与电流）。
为了满足这些需求，作为已获得高度好评的16bit低功耗“强化微”的第2波，蓝碧石半导体开发出最适合 电池驱动且提高了各项功能的“ML620130家族”。
＜新产品特点＞
（1）最低工作电压仅1.6V，非常适合镍氢充电电池
最低工作电压从以往的1.8V扩展到1.6V。由此，可检测最低达 1.63（TYP）的电源电压，可用光近2个镍氢电池的电压（0.8V×2=1.6V）， 有助于减少镍氢充电电池的充电次数和记忆效应， 延长电池的寿命。
（2）基本性能更高，消耗电流更低
CPU最高工作时钟频率为16MHz，外部最高工作时钟频率为32MHz（PWM），将以往的“强化微”的性能分别提升2倍，同时，将CPU高速工作时的工作电流降低了25%以上※。因此，用更快更少的工作电流实现了更环保的产品。※产品目录标准TYP值比较
（3）内置业界的高精度片上振荡器，无需外置振荡器
内置高精度片上振荡器（RC振荡）（±1%＠-20℃～＋85℃、±1.5%＠-40℃～＋105℃）。作为与设备外部的接口，可在所有温度范围下无需外置振荡器即可实现用于各种目的的UART通信（异步方式），从而降低外围部件成本。另外，蓝碧石半导体的UART通信功能具有全双工×1ch和半双工×2ch两种使用方法，无需同时双向通信时，可灵活 分配2个发送引脚和２个接收引脚，因此还适合用于小型PCB板。
（4）电磁兼容性更佳
继承低功耗强化微的特点---高电磁兼容性，突破国际电工委员会(IEC)颁布的标准IEC61000-4-2（注1）的试验电压等级4(空气放电：±15kV)的测量界限±30kV。另外，通过针对电源布线和噪音侵入路径的电路优化，在 蓝碧石半导体独有的试验中，抗扰性比以往的“强化微”提高30％（采用蓝碧石半导体生产的参考板，间接放电，特定条件）。
【销售计划与用途】
| 产品名 | ML620Q131/132/133/134/135/136 | |
| 销售 | 样品出货时间 | 样品出售中 |
| 量产出货计划 | 2015年12月开始 | |
| 量产规模 | 月产10万个 | |
| 用途 | 传感器模块、电池充电控制、小型电动工具、 | |
【规格概要】
| 项目 | ML620Q130家族 | |||||||
| Q131 | Q132 | Q133 | Q134 | Q135 | Q136 | |||
| CPU | 蓝碧石半导体独有的 16bit RISC内核（名称：nX-U16/100） | |||||||
| 时钟 | 高速 | 内置RC振荡：16MHｚ | ||||||
| 低速 | 内置RC振荡：32.768kHｚ | |||||||
| 内部存储器 | 程序区 | 8KB | 16KB | 24KB | 8KB | 16KB | 24KB | |
| 数据区 | 2KB | |||||||
| SRAM | 2KB | |||||||
| 串行 | SSIO | 1ch | ||||||
| I2C | 1ch | |||||||
| SPI | － | |||||||
| UART（全双工） | 1ch（or 半双工：2ch） | |||||||
| 模拟 | 10bit逐次比较型ADC | 6ch | 8ch | |||||
| 12bit逐次比较型ADC | － | |||||||
| 24bit RC型ADC | － | |||||||
| 模拟比较器 | 2ch | |||||||
| 通用端口 | 11ch | 15ch | ||||||
| 其他功能 | ・安全功能／自我诊断功能 RAM保护功能 ADC测试功能 RAM错误复位功能 | |||||||
| 工作保证范围 | 工作温度 | -40℃～105℃ | ||||||
| 工作电压 | 1.6V～5.5V | |||||||
| 封装 | 16pin SSOP | 20pin TSSOP | ||||||
【术语解说】
1 静电放电抗扰度试验标准
