onsemi NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块
“安森美 (onsemi) NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块具有两个6mΩ 1200V SiC MOSFET开关和1个热敏电阻，采用F2封装。这些SiC MOSFET开关采用M1技术，由18V至20V栅极驱动。NXH006P120MNF2模块采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高。典型应用包括直流-交流转换、直流-直流转换、能量存储系统、UPS、交流-直流转换、电动汽车充电站和太阳能逆变器。
”安森美 (onsemi) NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块具有两个6mΩ 1200V SiC MOSFET开关和1个热敏电阻，采用F2封装。这些SiC MOSFET开关采用M1技术，由18V至20V栅极驱动。NXH006P120MNF2模块采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高。典型应用包括直流-交流转换、直流-直流转换、能量存储系统、UPS、交流-直流转换、电动汽车充电站和太阳能逆变器。
特性
- 稳健的M1平面SiC MOSFET技术
- 采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高
- 18V至20V栅极驱动
- 20V工作电压，可降低损耗
- 18V，与其他模块兼容
规范
- 工作结温范围：-40°C至+175°C
- 漏极-源极电压：1200V
- 最大功耗：950W
- 连续漏极电流：304A
应用
- 直流-交流转换
- 直流-直流转换
- 交流-直流转换
- UPS
- 储能系统
- 电动汽车充电站
- 太阳能逆变器
