SOT502 ISM频段小型射频功放晶体管可为射频能量应用提供600W功率
“安谱隆半导体（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。它设计用于900到930MHz ISM频段中的工业加热连续波（CW）射频能量应用。该晶体管采用小型陶瓷SOT502封装，结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优势。此举减少了所需的空间，从而降低了放大器设计的成本。 ” 安谱隆半导体（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。它设计用于900到930MHz ISM频段中的工业加热连续波（CW）射频能量应用。该晶体管采用小型陶瓷SOT502封装，结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优势。此举减少了所需的空间，从而降低了放大器设计的成本。由于其高工作效率——通常高于68%，其冷却需求也保持在最低限度，这有助于进一步降低所需的空间。BLF0910H9LS600具有高增益的优势——其19.8dB的典型增益是在915MHz CW AB类应用中以50V VDS测得——这有助于提高放大器的整体效率。通过使用2个这种小型SOT502封装的600W晶体管，设计人员可以在与单个SOT539封装相同的空间中搭建出一个1.2kW的射频功率放大器。这种架构还有助于降低晶体管温度，从而有效实现比单个SOT539解决方案更高的效率。BLF0910H9LS600集成了ESD保护和内部输入匹配。此匹配增加了晶体管的输入阻抗，简化了PCB匹配结构的设计，从而可实现紧凑的放大器设计。
