ST推出新款的MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管提升高能效转换器的功率密度
| 意法半导体推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。 ST推出新款的MDmesh MOSFET，内置快速恢复二极管，提升高能效转换器的功率密度  作为超结MOSFET管，新产品额定电压范围950V至1050V，开关性能、导通电阻(RDS(ON))和硅单位面积流过的额定电流等技术参数均优于平面结构的普通MOSFET晶体管。在大功率设备用功率转换器内，例如高总线电压的电信服务器或数据中心服务器、工业电焊机、等离子发电机、高频感应式加热器和X射线机内，意法半导体的新产品让设计人员能够提升应用能效，减少并联器件数量，从而提高功率密度。 内部快速恢复体二极管让新产品能够提升零压开关LLC谐振转换器的能效，满足应用对宽压输入和高能效的要求。类型的桥式转换器以及电池充电升压DC/DC转换器也将受益于新产品的低损耗和高动态性能。与市面现有的内置快速恢复二极管的甚高压MOSFET相比，意法半导体DK5产品兼备最短的反向恢复时间(trr)、最低的MOSFET栅电荷量(Qg)和导通电阻RDS(ON)，以及超结产品中良好的输出输入电容(Coss, Ciss)。 DK5系列产品扩大了意法半导体的甚高压超结晶体管产品阵容，覆盖800V至1500V电压范围，新增六款TO-247、TO-247长脚、Max247和ISOTOP功率封装产品。STWA40N95DK5、STY50N105DK5和STW40N95DK5已经开始量产。 产品详情访问www.st.com/mdmeshdk5
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